網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

作為中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。

據(jù)官方介紹，Xtacking 2.0將利用Xtacking架構(gòu)優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開(kāi)啟定制化NAND全新商業(yè)模式等。搭載Xtacking 2.0技術(shù)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示：“通過(guò)將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。”程衛(wèi)華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái)，閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。”