內(nèi)存工作頻率是多少 內(nèi)存工作頻率越高越好嗎?

1、內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。

2、目前較為主流的內(nèi)存頻率是333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，667MHz、800MHz和1066MHz的DDR2內(nèi)存，1066MHz、1333MHz、1600MHz的DDR3內(nèi)存。

3、內(nèi)存的工作頻率即該內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。例如PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存頻率是100MHz，PC133的頻率是133MHz。而DDR內(nèi)存它是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，由于它是在同頻的SDRAM的基礎(chǔ)上的數(shù)據(jù)雙倍傳送，那么它的帶寬就比同頻的SDRAM多一倍，例如DDR266內(nèi)存它以133MHz運(yùn)行時(shí)其實(shí)際工作頻率就是266MHz，帶寬就是2.1GB/S。

4、如果你要買一根DDR333的內(nèi)存，商家卻拿了一根DDR266的給你，比較簡(jiǎn)單可行的辨別辦法是，可從DDR內(nèi)存的存取時(shí)間上來(lái)了解，例如-7和-7.5納秒的一般為DDR266的內(nèi)存，-6納秒的一般為DDR333的內(nèi)存，-5納秒一般為DDR400內(nèi)存。

5、而DDR的后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)DDRII同DDR相比更加先進(jìn)，它在DDR數(shù)據(jù)雙倍傳送的基礎(chǔ)上發(fā)展成為數(shù)據(jù)四倍傳送，比DDR又快了一倍!如果同樣運(yùn)行在133MHz的外頻下，其工作頻率為532MHz/S，它的帶寬就可達(dá)4.2GB/S。

內(nèi)存工作頻率越高越好嗎?

現(xiàn)在的內(nèi)存頻率諸多，如DDR3內(nèi)存分為1333Hz、1600Hz、2133Hz等頻率，而DDR4則分為2133Hz、2400Hz、3000Hz等頻率

內(nèi)存頻率高有什么好處?

由于決定內(nèi)存性能的核心因素有內(nèi)存容量、帶寬和頻率，而如果在同代內(nèi)存，相同容量條件下，內(nèi)存頻率越高，性能就越好。如果是不同代內(nèi)存，比如DDR3和DDR4內(nèi)存，如果是相同容量下，DDR4內(nèi)存性能肯定在DDR3之上，畢竟DDR4內(nèi)存頻率均在DDR3之上，加之新一代內(nèi)存還在帶寬上有升級(jí)，功耗更低等。

關(guān)于內(nèi)存和頻率的關(guān)系就介紹到這里，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，頻率是決定內(nèi)存性能的重要因素，不同代內(nèi)存往往頻率都不同，在相同容量下，內(nèi)存頻率越高，其性能往往更好。而在現(xiàn)實(shí)使用中，有適合不僅看理論，比如買的是DDR4 3000內(nèi)存，但由于主板僅支持DDR4 2400，那么DDR4 3000高頻內(nèi)存只能識(shí)別到DDR4 2400，對(duì)于這部分用戶來(lái)說(shuō)，DDR4 3000由于電腦不能完全識(shí)別，顯得并不是特別合適，因此實(shí)際內(nèi)存選擇時(shí)，還需要看實(shí)際需求與價(jià)格。

內(nèi)存頻率越高越好嗎?

理論上來(lái)講，在同代相同容量?jī)?nèi)存中，內(nèi)存頻率越高，速度就越快。也就是說(shuō)，頻率是決定內(nèi)存性能的一個(gè)非常重要的因素。

其實(shí)，電腦內(nèi)存由第一代的DDR，發(fā)展到現(xiàn)在最想的DDR4，可以看到，越是最新的內(nèi)存，頻率往往更高，通過(guò)內(nèi)存頻率，我們有時(shí)候也基本可以判斷內(nèi)存是第幾代的產(chǎn)品。

第一代DDR古董內(nèi)存就不說(shuō)了，下面主要從DDR3第二代內(nèi)存說(shuō)起：

DDR2內(nèi)存 頻率：333MHz/400MHz/667MHz/800MHz/1066MHz 工作電壓1.8V;

DDR3內(nèi)存 頻率：1066MHz、1333MHz、1600MHz、2133 工作電壓1.5V;

DDR4內(nèi)存：頻率：2133MHz、2400MHz、3000MHz、3200 工作電壓1.2V;

可以看到，越是新一代內(nèi)存，頻率越高，并且工作電壓由于工藝的提升，電壓更低，功耗還更低。