閃存和硬盤有什么不同 內(nèi)存與FLASH的區(qū)別?

不同點1

硬盤的使用壽命高于閃存。這個是根據(jù)它們的工作原理來決定的，閃存是有限定的數(shù)據(jù)寫入次數(shù)的，一旦閃存達到限定的數(shù)據(jù)寫入次數(shù)，閃存基本上就不能夠正常工作了。但是硬盤不同，硬盤沒有相關(guān)的限定使用次數(shù)，因此，硬盤只要不發(fā)生錯誤和故障就能夠正常進行工作，且存儲的數(shù)據(jù)也不會丟失。

不同點2：

閃存由于它獨特的工作原理，在進行數(shù)據(jù)傳輸時，它的傳輸速度遠高于硬盤，有時能夠達到幾十倍的差距。讀寫是計算機數(shù)據(jù)交換的一個電子過程，硬盤的傳輸和讀取速度很大程度上都取決于硬盤內(nèi)部機械馬達的轉(zhuǎn)動速度，但是，近幾年來，無論是桌面級的機械馬達類的硬盤還是服務(wù)器級的機械馬達類的硬盤，它們在技術(shù)上都沒有特別快或者說特別大的發(fā)展，等級基本還是停留在 7200rpm。雖然最近有的公司已經(jīng)研究并推出了10Krpm的硬盤，但這個硬盤的技術(shù)依然還在使用SCSI硬盤。對于服務(wù)器級的硬盤來說，速度在近幾年來一直保持在10Krpm-15Krpm之間，沒有發(fā)生特別大的變化，但是為了提高硬盤的性能，硬盤的研制廠商都將發(fā)展的注意力和精力集中到了硬盤的緩存容量和單碟容量大小上了。對此，部分研究者指出，若閃存的壽命和容量能夠大幅度提高且降低它的銷售價格，閃存式硬盤完全有可能淘汰現(xiàn)在我們正在廣泛使用的硬盤，目前閃存的容量大概僅有2-20G，遠遠沒有硬盤的容量大，但是它的傳輸速度極快

不同點3：

看到這里我想很多人都會問這樣的問題：為什么這里說U盤或其他閃存類的存儲器傳輸速度會遠遠高于硬盤，但是在使用的時候卻明顯感覺它們的速度還不及U盤?其實這個問題是由多個原因造成的，有時候，計算機的USB接口會限制閃存存儲器的發(fā)揮，除此之外，很多閃存存儲器還是低速的閃存，一般情況下，我們都會給U盤加一些限制速度。但如果把這個限制數(shù)量提高結(jié)果自然就會不同了。

內(nèi)存與FLASH的區(qū)別?

內(nèi)存與FLASH可以說沒有區(qū)別。因為FLASH 也是內(nèi)存(Memory)的一種。內(nèi)存有RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、Flash Memory。

1、數(shù)據(jù)

RAM：電源關(guān)閉數(shù)據(jù)不保留。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。

Flash：電源關(guān)閉數(shù)據(jù)保留。結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢)。

2、性能

RAM的讀取數(shù)據(jù)速度遠遠快于Flash。

FLASH閃存是屬于內(nèi)存器件的一種，"Flash"。閃存則是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存，在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持數(shù)據(jù)，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。

各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存。

內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器和主存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。

只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算，當運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

擴展資料：

FLASH的特點有以下四點：

1、可靠性

采用flash介質(zhì)時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統(tǒng)來說,Flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。

2、耐用性

在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

3、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。

由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。

在使用NAND器件時,必須先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當?shù)募记?因為設(shè)計師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。

4、其他作用

驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。