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1、MOS管的原理：它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。

2、在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。

(資料圖)

3、當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

4、作用：可應用于放大電路。

5、由于MOS管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

6、2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。

7、常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

8、3、可以用作可變電阻。

9、4、可以方便地用作恒流源。

10、5、可以用作電子開關。

11、簡介：mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。

12、是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。

13、或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。

14、MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

15、在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。

16、這樣的器件被認為是對稱的。

17、結構特點：MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電，是單極型晶體管。

18、導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

19、 n溝道m(xù)os管 p溝道m(xù)os管其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道。

20、n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。

21、n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。